Alferov Jores

( 25.03.1930 года ) Один из крупнейших российских ученых в области физики и техники полупроводников, его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. 

Автор: Соня Соколова

Сайт: Люди года 2002



Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г. в г. Витебске (Белоруссия). В 1952 году окончил факультет электроники Ленинградского электротехнического института им. В. И. Ульянова (Ленина). Кандидат технических наук (1961), доктор физико-математических наук (1970), профессор (ЛЭТИ) - с 1972 г. С 1953 г. Жорес Иванович работает в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН; с 1987 по настоящее время занимает в институте пост директора. С 1990 по 1991 г. - вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра, с 1991 г. по настоящее время - вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Жорес Иванович Алферов - один из крупнейших российских ученых в области физики и техники полупроводников, его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Автор более 500 научных работ, в том числе 3 монографий, более 50 изобретений. С 1973 г. по настоящее время Ж. И. Алферов - заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургский электротехнический университет), с 1988 г. по настоящее время - декан физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ныне Санкт-Петербургский государственный технический университет). Главный редактор журнала "Письма в Журнал технической физики". С 1989 по 1992 гг. - народный депутат СССР. С 1995 г. по настоящее время - депутат Государственной Думы Федерального собрания Российской Федерации. Жорес Иванович Алферов - Председатель подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Государственной Думы.

За высокие достижения Ж. И. Алферов был удостоен почетных званий: Российской Академии Наук, Гаванского университета (Куба, 1987); Франклиновского института (США, 1971); Польской АН (Польша, 1988); Национальной инженерной Академии (США, 1990); Национальной академии наук (США, 1990); Метрологической академии наук (С-Петербург, 1994); Академии наук Республики Беларусь (1995); Академии науки и технологии Кореи (1995); Общества физики и технологии полупроводников Пакистана (1996); Международной академии холода (1997); Оптического общества США (1997); Международной академии наук экологии, безопасности человека и природы; Института общей и ядерной физики Российского научного центра "Курчатовский институт" (1998), Санкт-Петербургского гуманитарного университета (1998).

Научные награды и премии Алферова: Премия Балантайна института Франклина (США, 1971); Ленинская премия (СССР, 1972); Хьюллет-Паккардовская премия Европейского физического общества, Государственная премия (СССР, 1984); Награда Симпозиума по GaAs (1987); медаль Х. Велькера (1987); Премия А. П. Карпинского, Премия им. А. Ф. Иоффе РАН (1996); Общенациональная неправительственная Демидовская премия (Российская Федерация, 1999).

Жорес Иванович Алферов награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знак Почета", "3a заслуги перед Отечеством" III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации. В 2000 году Шведская Королевская Академия наук присвоила Жоресу Ивановичу Алферову Нобелевскую премию по физике.

Жорес Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алферовым из средств Нобелевской премии.

За работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе" Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены в 2002 году Государственной премии.